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霍爾傳感器原理

更新時間:2024-07-10 點擊次數(shù):2355
  由霍爾效應的原理知,霍爾電勢的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導體材質(zhì)有關;I為霍爾元件的偏置電流;B為磁場強度;d為半導體材料的厚度。
 
  對于一個給定的霍爾器件,當偏置電流 I 固定時,UH將*取決于被測的磁場強度B。
 
  一個霍爾元件一般有四個引出端子,其中兩根是霍爾元件的偏置電流 I 的輸入端,另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外回路,就會產(chǎn)生霍爾電流。一般地說,偏置電流的設定通常由外部的基準電壓源給出;若精度要求高,則基準電壓源均用恒流源取代。為了達到高的靈敏度,有的霍爾元件的傳感面上裝有高導磁系數(shù)的坡莫合金;這類傳感器的霍爾電勢較大,但在0.05T左右出現(xiàn)飽和,僅適用在低量限、小量程下使用。
 
  在半導體薄片兩端通以控制電流I,并在薄片的垂直方向施加磁感應強度為B的勻強磁場,則在垂直于電流和磁場的方向上,將產(chǎn)生電勢差為UH的霍爾電壓。

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